蔡司X射线显微镜X-RADIA半导体封装检测方案

 　　半导体产业透过3D芯片堆栈及其他封装规格，发展新封装方法和测试方式。蔡司(ZEISS)研发3D X光成像方案，支援2.5D或3D及扇出型晶圆级封装失效分析。

　　半导体产业逼近CMOS微小化极限，封装必须协助弥补效能落差。因应生产体积不断缩小、运算速度更快的元件，满足低功耗需求，半导体产业藉由3D芯片堆栈及其他新封装规格，发展出新封装方法。

　　不过，业界人士指出，这也产生日趋复杂的封装架构、新的制程挑战以及日渐升高的封装失效风险。失效的位置通常深藏在复杂的3D结构内部，传统的视觉化失效定位方法，逐渐失去效益，新的检测方式必须有效辨识、并判定先进封装失效的原因。

　　例如光学与光电大厂蔡司研发蔡司X射线显微镜X-RADIA成像方案，可针对埋藏在完整的先进封装3D架构中的电路板与其缺陷，呈现次微米与奈米级的3D影像，在进行物理失效分析(PFA)之前，提供失效位置的信息，可支援2.5D或3D及扇出型晶圆级封装(FOWLP)等各种半导体封装的失效分析。

　　使用Xradia 800 Ultra 蔡司X射线显微镜，可实现低至50 nm的空间分辨率，是基于实验室的X射线成像系统中*高的。 随着非破坏性3D成像在当今的突破性研究中发挥至关重要的作用，您将在基于实验室的超高分辨率系统中体验的性能。 创新的Xradia Ultra架构采用吸收和相位对比成像模式以及8 keV的X射线能量，采用同步加速器改造的独特光学元件。 使用Xradia 800 Ultra，期望获得的原位和4D功能，用于研究材料随时间的演变，并扩展材料科学，生命科学，自然资源和各种工业应用中使用的X射线成像的极限。

　　相关方案可把导致封装层级失效的缺陷图像化，例如凸块或微凸块的裂痕、銲料润湿(solder wetting)或硅穿孔(TSV)形成的孔洞等，在进行物理失效分析之前，绘制出各种缺陷的3D图像，以减少人为的瑕疵，并透过剖面图确定方向，提升失效分析的成功率。

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